產品介紹

磷化銦 (InP) 基板。

III-V族化合物半導體材料由III族元素銦(In)和V族元素磷(P)結合而成。

應用特性：飽和電子漂移速度高、適合低損耗光纖通訊的發光波長、抗輻射能力強、導熱性能好、光電轉換效率高、禁帶寬度大。

應用範圍：廣泛應用於光模組元件、感測器元件、高階射頻元件等製造。